寬能隙半導體如氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)，是近年熱門的化合物半導體材料，又稱為第三類半導體。相對於以往第一類(矽)與第二類(GaAs, InP)半導體，第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性…
全球氣候變遷已成為國際間一個相當重要的環境議題，而造成全球暖化的氣候異常現象，最主要禍首就是七大類會造成溫室效應的氣體。許多國家政府也陸續展開降低溫室氣體排放的政策，包括制定能源使用效率與排放標準，並進行管制、徵收碳稅或能源稅…
在半導體積體電路朝向尺寸微小化和功能極大化的發展方向上，先進封裝技術已成為提高晶片性能的重要途徑之一。由於不同材料之間的機械特性不匹配，以及製程中產生的熱機械應力，導致的各種失效模式亦接踵而來…
隨著半導體技術發展遇到的物理限制與瓶頸，摩爾定律(Moore’s Law) 在半導體製程上漸漸不再成立，加上電晶體微縮製程的成本不斷提高，在尋求技術發展與成本的平衡之中，「先進封裝」進而帶來了有效的解決方案…
3D封裝有效提高晶片效能，但仍要克服散熱及翹曲等技術瓶頸。從材料的角度分析，材料的選擇與整合方式都會影響晶片的散熱能力。在晶片堆疊時，如果兩片晶圓翹曲的方向不一致，就會難以執行…
隨著電能需求的大增，高電壓、大電流、傳輸快、散熱佳是未來新世代材料的必要條件。基本上，要能承受較高的電壓條件，即是半導體材料的能隙(Eg, Energy Band gap)要夠大，才可承受更高的臨界場(Critical electric field)，以達到穩定快速又更高功率的轉換與輸出。要如何量得能隙的數值呢？宜特材料分析實驗室建議…
ESG永續發展已經從風險管理演變為創新與機會的驅動力，由於其涵蓋的面相非常廣泛，不只是在環境領域，還包含了社會與公司治理層面，如何在大框架下，找出施行重點，並且針對重點提升ESG相關績效，是現今多數企業正面臨的挑戰…
隨著先進製程的發展，晶片尺寸已經接近1奈米的物理極限，摩爾定律正步入尾聲，而先進封裝技術已成為下一個關鍵發展方向。尤其是具備高度晶片整合能力的「異質整合」封裝技術，已成為超越摩爾定律的重要技術之一。但是，異質整合的先進封裝技術，也面臨到許多可靠度上的疑難雜症，需要進行前期的驗證分析以確認研發品質…
當半導體製程逐漸縮小至3nm甚至2nm節點(Node)，精準量測每個關鍵參數，並以大數據(Big Data)技術優化生產方法，對於改善製程良率至關重要。但傳統手動量測方法效率低、誤差大，成本又高。因此，唯有透過自動量測，才能快狠準取得正確參數…