首頁 突破摩爾定律:您必須知道的下一世紀IC晶片除錯解法

突破摩爾定律:您必須知道的下一世紀IC晶片除錯解法

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突破摩爾定律:您必須知道的下一世紀IC晶片除錯解法

by admin

半導體IC不斷演進就是為了有更快的運算速度、較低功耗及降低成本等需求,於是製程技術的推進,概括可分為兩大方向:

  1. 挑戰摩爾定律,從28nm-16nm-10nm-7nm-5nm一路往更小的製程推進
  2. 是跳脫一般2D(平面)的框架,讓晶片可以堆疊成2.5D或3D的架構

針對上述兩大方向,宜特都可在客戶產品發生失效時,供專業諮詢,並提出對應的分析解法,協助客戶在最短時間內找到自身產品失效狀況(failure mode)進而找出原因(Root cause)。

宜特也為客戶,打造世界級驗證專區,為您的樣品保駕護航,資訊安全滴水不露

而IC產品的推陳出新,取決於如何縮短評估、設計到量產的開發時程。因此,在IC產品的設計初期經測試後,若發現異常需要進行電路修改,宜特可提供特殊的樣品製備後,採用最先進的FIB進行電路修正再進行回測驗證,無須重新更換光罩製程即可縮短量產的時程。而針對後續可靠度測試,宜特亦提供完整的快速封裝SMT測試樣品製備板階可靠度測試驗證等一條龍的實驗規劃,可幫助您控管產品的品質。

Step-by-step完成分析,找出失效狀況

當產品失效發生(R&D 或 RMA)需進一步解析時,宜特擁有完整的故障分析平台,從非破壞式分析開始,如: 超高解析3D X-RaySAT超音波掃描;電性量測分析,如IV量測元件的特性比較;故障點的定位,如: Thermal EMMIInGaAsOBIRCH等。

之後加上完善的樣品前處理技術,如: 樣品前處理技術,包括 IC開蓋(Decap)IC層次去除(Delayer)剖面/晶背研磨(Cross-section & Backside)離子束剖面研磨(CP)等;搭配高解析之觀察工具,如: 場發式掃描電鏡(FESEM)雙束聚焦離子束(Dual Beam FIB)

而在材料分析方面,具備材料微結構分析與奈米級表面成分分析能量,如歐傑電子能譜儀(AES)X光電子能譜儀(XPS)穿透式電鏡(TEM)二次離子質譜儀(SIMS)與EDS、EELS成份分析…等全方位分析技術,可解決客戶在材料分析上的需求。

另外,企業導入先進半導體製程的目的,是進入國際電子大廠電子供應鏈,有鑑於國際大廠對於供應鏈廠商的要求除了產品規格精進外,也包括品質管理、環保管理與CSR。因此宜特也提供全面品質管理環安衛與CSR增值服務、與溫室氣體水足跡盤查協助半導體產業加速進入國際電子大廠之供應鏈。