發佈日期：2015/7/15
發佈單位：EET-Taiwan電子工程專輯
宜特科技(Integrated Service Technology；iST)宣佈其材料分析檢測技術突破10奈米製程，不僅可協助多家客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證，其技術能量更深獲IEEE半導體元件故障分析領域權威組織IPFA肯定，於會議期間發表最新研究成果。
宜特觀察發現，近年來，企業為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智慧產品需求，各大廠在先進製程開發的腳步越來越快，已從去年20奈米製程，邁入今年的14奈米製程；其中包括台積電、英特爾、三星等大廠，更預計陸續於明年進入10奈米以下的量產階段，帶動整個供應鏈的TEM分析需求。
宜特進一步指出，繼去年佈建EDS元素分析能力最強的TEM設備，聘僱多位TEM專家共同經過一整年的衝刺後，不僅產能大躍進，其檢測分析能量更從去年的14奈米，向下突破至10奈米製程，深獲多家客戶如LED磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠的肯定，檢測產能滿載，下半年持續擴產以因應客戶需求。
宜特科技材料分析工程部經理陳聲宇表示，宜特材料分析技術能量有目共睹，更獲得IPFA肯定，於本月舉行的會議中，發表「利用高準確性的TEM/EDS技術分析先進NAND flash產品」之論文。此成果可應用於先進半導體製程中介電層材料(dielectric layer)的分析之上。
陳聲宇進一步指出，先進製程的介電層材料，往往脆弱而易在分析過程中遭受損傷，分析難度相當高。宜特運用最高規格的TEM/EDS機台，並充分優化實驗參數，成功在介電層材料遭受損傷前，迅速完成訊號的收集，得到準確的元素分佈資訊，提供研發工程師改善製程時，最有力的依據。
電子工程專輯原文報導：http://www.eettaiwan.com/ART_8800714056_480202_NP_be3b6f4f.HTM