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宜特開創ALD新局 次2奈米新材料驗證助攻全球供應鏈

發佈日期:2025/11/10
發佈單位:iST宜特

宜特科技(3289)正式啟動次 2 奈米世代 ALD(Atomic Layer Deposition,原子層沉積)新材料選材與驗證服務,進一步延伸至化學材料端的選材、鍍膜測試與品質確認。此舉使宜特不僅扮演晶片驗證夥伴,更成為材料廠商開發新配方的關鍵加速器。

宜特觀察發現,晶圓代工大廠、IDM廠在今年下半年,陸續在2奈米、18A進入量產,均屬立體電晶體架構,對ALD設備與新材料需求大幅擴張。如何在複雜3D結構中均勻鍍膜,是最困難的一環。傳統CVD與PVD(物理氣相沉積)在3D結構上均有限制。以PVD為例,透過蒸鍍或濺鍍方式,往往無法覆蓋內部深層區域;CVD則因氣體反應速率過快,容易導致薄膜厚度不均。

相較之下,ALD 技術以「原子層逐層沉積」可精準控制膜厚,及其生成的薄膜具高均勻度及覆蓋性優異,被視為2奈米後之先進製程不可或缺的關鍵技術。但ALD沉積速度慢、參數複雜,及其新材料反應條件的掌握尤為嚴苛。宜特推進ALD新材料驗證平台,可協助材料商在開發階段完成鍍膜實驗,快速評估新材料薄膜的品質與一致性,縮短客戶開發週期。

目前業界ALD於製程段可用於製造高介電薄膜及相關先進電晶體(例如GAA/CFET);而另外將ALD應用於試片製備時的保護層以避免樣品損傷,這已是在TEM分析上的常規作法。然而,宜特的ALD能力並不僅止於此,而是進一步串接「材料選擇 → 鍍膜製程 → 薄膜分析 → 製程驗證」,協助化學材料商、晶片製造商與設備供應商完成新材料驗證與最佳化,提供更完整的產業鏈「材料端至晶片端」之間的分析驗證。

宜特表示,未來半導體的突破不僅來自製程微縮,更仰賴新材料的導入。宜特藉由 ALD 新材料驗證,將協助材料與設備供應鏈加速定義下一世代標準,成為推動次 2 奈米世代後的關鍵力量。
隨著半導體進入新材料時代,宜特透過ALD新材料驗證平台服務,將持續拓展「晶片驗證 + 新材料驗證」雙軌成長曲線,為客戶提供差異化解決方案,亦將成為推動宜特後續營運新引擎。

關於宜特科技

始創於1994年,iST宜特從 IC 線路除錯及修改起家,逐年拓展新服務,包括故障分析、可靠度驗證、材料分析、訊號測試、化學分析與各類輔導等,客群囊括電子產業上游 IC 設計至中下游成品端,並陸續建置半導體先進製程/先進封裝驗證平台、車用電子驗證平台、5G/物聯網/車聯網/AI驗證平台、太空環境測試實驗室,提供全方位完整驗證分析服務。更多訊息請上官網 http://www.istgroup.com

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