首頁 宜特晶背FIB電路修補能力突破7奈米製程

宜特晶背FIB電路修補能力突破7奈米製程

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宜特晶背FIB電路修補能力突破7奈米製程

by yuting

發佈日期:2019/03/15
發佈單位:iST宜特

隨半導體產業朝更先進製程發展之際,宜特電路修補技術(IC Circuit Edit)檢測技術再突破!宜特今(3/15)宣佈,宜特通過先進製程客戶肯定,IC晶片背面(Back-side,簡稱晶背)FIB電路修補技術達7奈米(nm)製程。

宜特針對IC設計業者為何須進行電路修補進行說明。由於即使電路模擬軟體不斷地提升演進,仍難以100%來確保晶片的設計及佈局正確性,一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版;然而光罩價格不斐,且重新下光罩後,等待修改過後的晶片時間通常超過一個月。因此,多數IC設計業者,會選擇進行IC電路修補,只需幾個小時內即可完成修改,確保電路設計符合預期,並降低時間及金錢的成本耗損。

宜特表示,隨著摩爾定律,半導體製程從1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不斷微縮到奈米(nm)等級,如此先進製程的電路修補,考驗FIB實驗室的技術發展及應用能力。特別當製程來到16奈米(nm)以下的製程,包裝型式多數為覆晶技術(Flip Chip),因此FIB電路修補就必須從晶背來執行,整體困難度也隨之增加。

宜特進一步指出,7奈米(nm)先進製程的晶背電路修補,有兩個挑戰。第一,電晶體密度倍增:每平方毫米密度約是16nm製程的3.5倍,要穿越遍佈於底層的電晶體進行修補困難度將大幅度提升;第二,薄且小的間隙:7奈米(nm)製程的金屬與介電層的間隙、寬度、厚度,多為40奈米(nm)或以下,面對薄且小的製程,如何精準定位目標、清楚辨識電路及避免過度曝露金屬,更是修改技術能力重要關鍵。
宜特表示,宜特1994年成立,從IC晶片的FIB電路修補起家,2011年即提供40/28奈米(nm)先進製程電路修補技術,2015年時完成20/16奈米(nm)晶片正面的電路修補技術,並於2016年挑戰完成16奈米(nm)的IC 晶背(back-side)FIB電路修補技術。2018年完成12奈米(nm)修補。

今年,宜特FIB電路修補技術再突破,成功完成7奈米(nm)製程的back-side電路修改,協助先進製程晶片設計業者在電路驗證、偵錯、失效分析上更直接、靈活且快速的選擇,加速產品上市時間(Time-To-Market)。

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圖說:宜特FIB電路修補技術各階段里程碑

關於宜特科技

始創於1994年,iST宜特從 IC 線路除錯及修改起家,逐年拓展新服務,包括故障分析、可靠度驗證、材料分析等,建構完整驗證與分析工程平臺與全方位服務。客群囊括電子產業上游 IC 設計至中下游成品端,並建置車用電子驗證平台、高速傳輸訊號測試。宜特秉持著提供客戶完整解決方案的宗旨,從驗證領域,跨入「晶圓後段製程整合」量產服務。更多訊息請上官網 http://www.istgroup.com

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