首頁 宜特獨家研發出MEMS G-Sensor失效分析標準流程

宜特獨家研發出MEMS G-Sensor失效分析標準流程

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宜特獨家研發出MEMS G-Sensor失效分析標準流程

by ruby

發佈日期:2013/10/15
發佈單位:iST宜特

在先端科技的蓬勃發展下,MEMS元件已成為智慧產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時,因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因,iST集團-台灣宜特今年已成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程。此流程亦被許多公司實際採用,目前全台開發MEMS G-sensor的公司中,約達九成在iST宜特幫助下解決失效問題。
iST獨家研發的MEMS G-Sensor失效分析標準流程,更正式通過全球最具代表性,電子元件檢測失效分析技術研討會-ISTFA的認可,成為全台第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。

iST觀察發現,許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時,由於對其結構的認知度、掌握度不夠,因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察,容易造成元件汙染。

此外,iST進一步指出,因元件為懸浮結構,以外力移除時易產生毀損。兩造影響下,容易造成元件汙染和應力破壞,不但沒有找出真因,反而製造更多失效盲點。

為克服此問題,iST今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術,結合無應力的元件移除技術,以非破壞方式保留結構原貌,避開機械應力和汙染產生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設計、製造與封裝企業,對症下藥地找出失效點並成功改善,搶攻市場先機。

在iST宜特MEMS標準失效分析流程下,可精準看出失效G-Sensor元件的真正失效點。

失效G-Sensor元件觀察影像

正常G-Sensor元件觀察影像

iST集團營運長 林正德指出,2007年預見此市場需求後即投入研發,全面佈局MEMS等新興產品失效分析技術。這幾年在大量實務經驗深耕下,更於今年建立出MEMS標準失效分析流程。

此技術,iST集團台灣總部技術經理 黃君安將於11月6日在美國加州聖荷西的國際失效分析暨測試研討會(ISTFA)上發表。歡迎業界先進舊雨新知前來交流。

ISTFA會議報名網址:
http://www.asminternational.org/content/Events/istfa/index.jsp

若您有MEMS相關的業務需求,請洽+886-3-579-9909 分機8886 王先生

關於宜特科技

始創於1994年,iST從 IC 線路除錯及修改起步,逐年拓展新服務,包括故障分析、可靠度驗證、材料分析與品質保證等,建構完整驗證與分析工程平臺與全方位服務。客戶範圍囊括了電子產業上游 IC 設計至中下游成品端。隨著綠色環保意識抬頭,iST不僅專注核心服務,並關注國際趨勢拓展多元性服務,建置無鉛與無鹵可靠度驗證、化學定量分析與碳足跡溫室氣體盤查服務,順利取得多項國際知名且具公信力的機構 ─ 德國 TUV NORD 與英國 BSI 認證。同時在國際大廠的外包趨勢下,宜特科技也扮演品牌公司委外製造產品的獨立品質驗證第三公證實驗室,取得 Dell、Cisco、Delphi、Continental Automotive、Lenovo 等品牌大廠認證實驗室資格。

iST以追求精准、完美、效率的原則從新竹出發,陸續在世界拓展營運據點,包括大陸地區-昆山宜特、上海宜碩、北京宜碩、深圳宜特;日本IC Service;美國IST成立實驗室,期能為客戶提供更完整、快速、先進與創新之高品質技術服務,與全球領先趨勢共同成長。進一步資訊請至公司網站:www.istgroup.com查詢。