【線上研討會】宜特科技在「氮化鎵功率元件發展趨勢與應用研討會」

由於傳統以矽材料製作的功率元件已接近其物理性能極限，面對高頻、高壓、高功率新穎應用下，逐漸凸顯其缺點，例如轉換效率不佳、散熱問題、功率密度不足等問題。因此，促成寬能隙 (Wide band gap)材料的興起(如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等)，其具備耐高溫、耐大電壓、低導通電阻等特性，可廣泛應用於高功率、高頻和高溫電力電子系統。而GaN功率元件預估市場應用產值於2025年將會超過6.8億美元，除2019年底OPPO已標配採用GaN HEMT元件的快速充電器外，預估未來幾年GaN HEMT元件將被逐步使用於光達、電動車、資料運算中心等產業，促使寬能隙材料市場日益普及。

宜特科技很榮幸受邀參與由高功率元件應用研發聯盟舉辦之「氮化鎵功率元件發展趨勢與應用」線上研討會，期能藉由活動邀請產、官、學、研界相互分享創新技術，促進產業橫向交流與發展。

本場研討會活動預計邀請在國內在氮化鎵半導體元件、模組中具備技術研發及產品應用之專家蒞臨演講，與國內各界分享交流。在此，誠摯邀請您撥冗參加此盛會，並藉此機會與國內相關產業先進經驗交流！

宜特科技專家主講時程

主題 : Micro-nano microstructure analysis of Si MOSFET to GaN MOSFET

時間 : 14:20-15:00

主講人 : 鮑忠興 材料分析專家

更多活動詳情及線上報名事宜，請見報名網頁：https://forms.gle/Xw1SkrjviLN7fvXD9