首頁 ムーアの法則を超える:次世代のICチップのデバッグ方法

ムーアの法則を超える:次世代のICチップのデバッグ方法

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ムーアの法則を超える:次世代のICチップのデバッグ方法

by admin

半導体ICは演算速度の向上や消費電力とコストの減少を目指して絶えず進化しています。工程プロセス技術の進歩は主に二つの方向性に分けることができます。

  1. ムーアの法則に挑戦し、28nm-16nm-10nm-7nm-5nmと、さらに小さな工程プロセスの追求。
  2. 2D(平面)を超越し、折り畳み式の2.5Dまたは3Dの追求。

2D(平面)を超越し、折り畳み式の2.5Dまたは3Dの追求。iSTはカスタマーの製品に障害が生じた際、専門的コンサルティングを提供し、対応分析により最短時間でiSTはカスタマーの製品に障害が生じた際、専門的コンサルティングを提供し、対応分析により最短時間で

iSTの国際レベルの検証サービスは、サンプルの安全性を保証し、情報セキュリティも確実に保護します。

IC製品の核心は、評価・設計・量産の開発スケジュール短縮にかかっています。IC製品の設計初期において、テストで異常が発見された場合、回路を修正する必要があります。iSTは特殊なサンプル作成の後、最先端のFIBにより回路修正を行い再検証を行います。これにより新たなフォトマスク交換の必要がなくなり、量産スケジュールを短縮できます。後続の信頼性テスト,に対し、iSTは完備された高速パッケージSMTテストサンプル作成ボードレベル信頼性テスト検証など一連の作業プランを提供し、貴社の製品品質を確かなものとします。

Step-by-step分析による問題の洗い出し

製品の障害が発生し(R&Dまたは RMA)さらなる解析が必要となった場合、iSTは故障分析プラットフォームを完備し、以下の非破壞式分析をサポートいたします。超高解析3D X-RaySAT超音波掃描)、そして、IV量測などの電気測定分析となります。また部品の特性比較および故障点の定位として、Thermal EMMIInGaAsOBIRCHなどをサポートいたします。

さらにその後、以下の完備されたサンプル前処理技術を活用します。 サンプル前処理技術:ICデキャップICディレイヤー(Delayer)断面/背面研磨(Cross-section & Backside)にリンク、そした、イオンビーム断面研磨(CP)となります。また以下の高解像度観察ツールもサポートいたします。電界放出形走査電子顕微鏡(FESEM)デュアルビームFIB(Dual Beam FIB)。これらを駆使することにより段階的に分析を進め、故障モードを検出します。

材料分析については、以下の機器による微細構造分析とナノレベル表面成分分析をサポートいたします。オージェ電子分光装置(AES)X線光電分光装置(XPS)通過型電鏡(TEM)二次イオン質量分析装置(SIMS)、そして、EDS、EELS成分分析などとなります。これらの種々の分析技術により顧客要求を満たすことが出来ます。

企業が先進的な半導体工程プロセスを導入する目的は、国際的大手電子メーカーのサプライチェーンに参入するためです。国際的なメーカーはサプライチェーンに対し、製品規格の正確性だけでなく、品質管理、環境保護管理、CSRを要求するのが常となっています。これを受け、iSTでは、全面的品質管理環境・安全・衛生およびCSR付加価値サービス 温室ガaスウォーターフットプリントを提供し、半導体企業が国際的大手のサプライチェーンに参入するお手伝いをしています。