為了克服晶片多種材料間中機械特性不匹配問題，「奈米壓痕測試儀」及「奈米刮痕測試儀」為兩個重要的分析工具，除了可分析多層薄膜附著力，亦可搭配後續影像分析技術，如SEM、 DB-FIB或TEM可進一步地分析內部結構變化，找出造成故障的脆弱點位置…
先進封裝材料百百種，多數材料特性都與「熱」脫離不了關係，到底熱特性對元件壽命與穩定性影響有多大？如何運用熱分析工具量測熱特性數值呢?
當主流的半導體材料-矽(Si)無法滿足高速傳輸、大電壓的需求時，找出最佳的寬能隙材料替代刻不容緩，但該如何量測能隙？選出寬能隙材料後，晶體堆疊瑕疵又該如何觀察呢？
當摩爾定律走到盡頭，先進封裝能否成功發展？關鍵之一在其中的材料晶體結構如何掌握晶體結構密碼？就靠先進分析利器－EBSD。本期宜特小學堂，我們將以三大實際案例為您介紹如何用EBSD來分析晶體結構。
TEM自動量測技術，可取代以往傳統手動量測容易因人為誤判，導致數據失真的缺點。宜特最新研發的TEM影像自動量測軟體，快速精準量測關鍵參數，為客戶加速製程開發……
氧化鎵Ga2O3被稱為第四類半導體的原因是，其超寬能隙的特性，相較於相較於第三類半導體碳化矽SiC與氮化鎵GaN，將使材料能承受更高電壓的崩潰電壓與臨界電場。本文將呈現如何應用TEM分析技術鑑定氧化鎵…