隨著半導體製程微縮能力的演進，晶片邏輯閘密度(Gate Count Density)不斷提升，因此晶圓製程後段的金屬導線(Interconnects)也不斷增加層數且複雜化；而鋁/銅等金屬導線，其單位截面積在足夠大的電流密度下，長時間工作將恐造成金屬導線本身阻值劣化，及導線與導線間的絕緣層間的漏電。
iST 宜特能為你做什麼
電子遷移測試(Electromigration Test, EM Test)，可以藉高溫與高定電流密度等加速老化實驗，推導出產品Interconnects的故障機率與生命週期；或是藉由設計不同的高溫、高定電流實驗批次，經由Black’s 函數, 推導出電流密度參數(n)與溫度參數(Ea)。
失效模式
當電流流過金屬導線，移動電子的動能對晶格產生電子風效應(Electro Wind)，使得金屬原子獲得動能而產生物理性遷移，尤其在高溫下或電流密度達1E6 A/cm^2以上的高壓(Stress)下，將明顯加速這個反應速率；此物理性遷移可以造成金屬晶格界面處(Boundary)產生Void而使線阻值增加，或者物理性遷移造成的擠壓(Extrusion Effect)而產生金屬突起，使得原本絕緣的兩金屬導線間漏電(參見下圖)。
Copper Void Open, Refer to JEP122
Copper Extrusion Short, Refer to JEP122
服務優勢
- 擁有樣品製備能量：從晶圓切割、打線、陶瓷封裝 ，全部自家In House完成
- 宜特製作的測試板(樣品載體)，可承受400度高溫試驗
- 獲得STAr Technologies 原廠技術合作，實驗條件設計最佳化
參考規範
- JESD 63
- JESD 33
- Scorpio DC-EM System
- 宜特In House製作的測試板，可承受400度高溫試驗。
- 車用、商用、工業用、消費性產品