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导电性原子力显微镜(AFM)
 

原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM),具有原子级解析力,是微观表面结构的重要分析工具。主要原理是藉由针尖与试片间的原子作用力,使悬臂梁产生微细位移,以测得样品表面形貌起伏,可应用于多种材料表面检测。

iST宜特AFM分析优势
     两岸唯一可分析12吋wafer的AFM实验室,保存您完整wafer以便后续进行其他实验。
     外加其他功能显微镜,分析应用之范围更扩大。如CAFM导电式原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy, CAFM)和SCM扫描式电容显微镜(Scanning Capacitance Microscopy,SCM)。

AFM服务项目:
     薄膜粗糙度检测
     微观表面结构研究
     2D/3D材料表面形貌
     奈米级纵深分析

AFM、CAFM和SCM比较表:
AFM CAFM SCM
分析原理 AFM探针 CAFM探针 SCM探针
针尖与试片间的原子作用力,以测得表面形貌起伏 探针在针尖或试片上施予电压,以获得样品表面电流强度 经由导电探针取微分电容讯号转为二维掺杂分布影像
分析应用 1.材料表面粗糙度检测与结构观察
2. 2D/3D材料表面形貌影像
3. 奈米级纵深分析及尺寸量测
1. 侦测阻值偏高或漏电
2. 区别出P+/ N+ /Poly contact
3. 对单点量测I-V curve
P-N型区域及其界面
机台规格 试片大小 (mm) 200 x 200 x 15
可放置300 mm x 300 mm (12" wafer)
分析范围 (um) : 90 x 90 x 5
放大器倍率:107~1011
偏压范围:-10V~10V
平面分辨率:20nm
掺杂浓度范围:1015~1019 atom/cm3
扫描范围:90*90um/高度限制在2cm以内


AFM机台型号
Bruker Dimension Icon
Veeco INNOVA
 

AFM 分析应用-粗糙度分析(Roughness)
2D和3D表面粗糙度分析图,可得出SAD百分比,Rq和Ra数值。
 

SCM 分析应用-正面分析(Top View Survey)
AFM分析后的表面形貌
透过SCM可清楚判断P/N well位置
 

SCM 分析应用-横截面分析 (Cross Section Survey)
 
透过SCM清楚看出N Well/ P Well /N Epi layer

CAFM分析案例- AFM表面及Contact分析图
(左)外加正电压(+1v)时的Contact VC,无异常亮点发生。
(右)外加负电压(-1v)时的Contact VC,异常亮点发生。
 
导电性原子力显微镜、原子力、表面分析
中国免费咨询电话 800-988-0501
marketing_cn@istgroup.com
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