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双束型聚焦离子束(Dual-beam FIB)
 

iST宜特科技建置八台业界最高阶的FEI Helios-660 Dual-beam FIB机台,具有绝佳的影像质量与机台稳定性。采取三班制24小时运作,提供客户快速交期的高质量服务。

Dual-beam FIB机台能在以离子束切割样品时,同时用电子束对断面进行观察。宜特所建置的业界最高阶Helios-660机台,具备超高分辨率的离子束及电子束,能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA,快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。

机台规格:
   机型:FEI Helios NanoLab 660
   样品最大尺寸:150mm
   配有150mm2 SDD EDS侦测器,可进行实时EDS分析。
   配有MultiChem气体系统,可通入六种沉积或stain气体。
   观测范围宽度超过100um,或深度超过50um时,建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB
  
 
E-beam I-beam
Resolution 0.6 nm at 15kV
0.7 nm at 1 kV
4.0 nm at 30 kV
Accelerate Voltage 20 V – 30 kV 0.5 kV – 30 kV
Probe current 0.8 pA – 100 nA 0.1 pA – 65 nA

主要应用:
    半导体组件失效分析(能力可达14nm高阶制程)
    半导体生产线制程异常分析
    磊晶与薄膜结构分析
    电位对比测试
    透射电子显微镜试片制作
    奈米级结构制作

横截面分析
H660具有极佳的E-beam分辨率,标示处3nm的void与gate oxide均清晰可见。

EDS分析
150mm2大面积EDS侦测器,可达极佳的空间分辨率,实现「边切、边拍、边分析」的高阶应用。

IC失效分析
由专业失效分析团队为您执行完整的EFA > PFA > FIB cross-sectioning流程。

铜晶粒分析
采用特殊样品制备手法(研磨+iron milling),迅速得到大范围铜晶粒影像。

TEM样品置备
最薄可制备出厚度约15nm之TEM试片。

Dual Beam、双束、剖面
中国免费咨询电话 800-988-0501
marketing_cn@istgroup.com
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