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扫描电镜(SEM)
 

原理
扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)主要利用电子光学系统将电子枪产生的电子聚焦成一微小的电子束至样品表面,并利用扫描线圈使其在样品表面上扫描。

电子束与样品间的交互作用会激发出各种讯号,如: 二次电子、背向散射电子及特性X光等,SEM主要就是收集二次电子的讯号来成像。由于SEM分辨率高,放大倍率可达到数十万倍以上,且景深大,主要是用来观察样品表面及剖面微结构,如在设备上加装能量分散X光谱仪(Energy Dispersive Spectrometer, EDS)时,可对样品表面同时进行微区之材料分析,包括定性、半定量之元素分析以及特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析。

iST服务优势
宜特拥有多台目前业界主流的场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM):Verios460L、SU8020、SU8220、Jeol 6700F、Hitachi S-4700,且加装EDS (SDD detector),可提供目前业界最高解析之表面结构分析影像,亦可快速进行材料成份之分析。

应用
  针对各种材料表面微结构观察。
  藉由SEM本身之量测功能,可提供精准之尺寸量测,如膜厚等。
  EDS可提供样品表面之微区定性或半定量之成份元素分析,以及特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析;其中SDD detector更能在低电压下,提升Mapping的空间分辨率。
  SEM自动拍照,搭配层次去除技术de-process可提供电路逆向工程参考。
   利用低能电子束扫描做被动式影像对比(Passive Voltage Contrast, PVC),对于异常漏电或接触不良的半导体组件损坏可以精准的定位,提供故障分析之判断。

机台规格/ 极限
 
FEI verios460L

电子枪

Schottky FE

分辨率

0.6nm ((加速电压15kV) ,0.7nm((加速电压1kV)

倍率

45~800k

加速电压

0.5~30kV


 
HITACHI SU8020

电子枪

Cold FE

分辨率

1.0nm (加速电压15kV) ,1.3nm(加速电压1kV)

倍率

30~800k

加速电压

0.1~30kV


 
HITACHI SU8220

电子枪

Cold FE

分辨率

0.8nm (加速电压15kV) ,1.1nm(加速电压1kV)

倍率

20~1000k (取决HV电子束电压&WD工作距离)

加速电压

0.01~30kV


 
JEOL 6700-F

电子枪

Cold FE

分辨率

1.0nm (加速电压15kV) ,2.2nm(加速电压1kV)

倍率

25~650k

加速电压

0.5~30kV


 
材料表面微结构观察
 
 

半导体芯片剖面观察:可应用于芯片制程成本分析
 

Passive Voltage Contrast(PVC):可应用于判断contact是否有open/short

EDS Mapping分析:可显示各元素于观察表面分布情形

EDS point分析:在2kV低电压下,SDD detector可分析样品表层元素种类

SEM、扫描电镜、电镜扫描

中国免费咨询电话 800-988-0501
marketing_cn@istgroup.com
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