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砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)
 

砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同,主要差异为二者的Detector不同(InGaAs-CCD 与Si-CCD)。当半导体制程不断进步,其组件尺寸持续微缩,相对地操作电压也会愈来愈低,使电子电洞对复合产生的光波长愈来愈长,已达传统Si-CCD的侦测极限。因InGaAs-CCD对长波长光线具有更高的侦测能力,同时运用在背向(back-side)检验时,无硅基材(Si-substrate)会吸收发光的干扰问题,已成为诊断先进制程组件缺陷的利器。

侦测的到亮点之情况:
会产生亮点的缺陷 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。

侦测不到亮点之情况:
不会出现亮点的故障 - Ohmic short及Metal short。
亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal。

InGaAs 本身有下列几项功能:
侦测 Defect 的时间,比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可侦测到 EMMI侦测不到的 Defect (可侦测到微小电流及先进制程的 defect)。
愈先进的制程愈需要 InGaAs 才能侦测到 Defect 点。
可侦测到较轻微的 Metal bridge 及微小电流 (EMMI 完全侦测不到)。

机台极限:
因镜头旋转角度限制,最多架4只针座(4支探针)于平台上,产品高度需低于10 cm,需完全暗房操作,不可有发光组件,且不适用产品于加热状态下进行实验。

实例照片
 
InGaAs spots
 
InGaAs & MCT & EMMI(CCD) COMPARE TABLE
 
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