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微光显微镜(EMMI)
 

对于半导体组件之故障分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)已被学理证实是一种相当有用且效率极高的诊断工具。该设备具备高灵敏度的CCD,可侦测到组件中电子-电洞对再结合时所发射出来的光子,能侦测到的波长约在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此设备广泛的应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。

EMMI影像(EMMI spot)
 

侦测的到亮点之情况:
会产生亮点的缺陷 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。

侦测不到亮点之情况:
不会出现亮点的故障 - Ohmic short及Metal short。
亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal。

机台限制:
因镜头旋转角度限制,最多架4支针座(4支探针)于平台上,且产品高度需低于10 cm,需完全暗房操作,不可有发光组件。

EMMI、热成像分析仪、找亮点
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