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奈米级探针量测(Nano Prober)
 

随着IC 制程微小化,组件密度提升,微区电性量测是IC组件研究发展中不可或缺的技术。Nano-probing技术即在扫瞄式电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)其高倍率观察下,以奈米操控器搭配Keithley 4200量测系统,能直接提供单一晶体管的电性曲线,相较于导电性原子力显微术(Conductive Atomic Force Microscopy, CAFM),由于SEM能提供及时影像因此能快速找到欲量测位置。此外,在SEM真空环境下进行电性量测,能避免外界环境的噪声干扰,对于半导体组件故障分析及其在奈米尺度下之研究发展均能提供直接且快速的信息。

应用:
   组件电性特性分析
   组件质量及故障分析
   微机电及IC微结构研究

机台规格/ 极限:
场发射扫瞄式电子显微镜
【厂牌型号】:JSM-6700F (JEOL)
电流电压量测系统
【厂牌型号】:Keithley Model 4200-SCS
微电探针量测系统
【厂牌型号】: Zyvex

  移动范围 分辨率
粗调 X, Y, Z轴:12mm 100 nm
微调 X, Z轴:100 µm;Y轴:10 µm 5 nm
操作环境 10-4 Pa以下
针尖直径 小于50nm
探针材质
最多探针数 4 channels

 

Contact probing:
IC样品层次去除至contact层后,在SEM真空环境下进行电性量测。
 

 
Family of Curves (Drain Sweep):
Vds 对Ids的曲线图,当晶体管的Vgs电压固定时,变动Vds则Ids亦会改变可以得到一条Vds对Ids的曲线图。若将原本固定的Vgs电压变动,则可以得到多条曲线(每一Vgs一条),可研究晶体管相当重要的特性曲线。
 
Gate Voltage Sweep:
Vgs 对Ids的曲线图,当晶体管的Vds电压固定时,变动Vgs则Ids亦会改变,可以得到一条Vgs 对Ids的曲线图。
此曲线可以研究在信道中的载子(电子或电洞)是如何被提升到传导带,而信道形成的临界电压及
线性区的临界电压都可以被测得,可研究晶体管相当重要的特性曲线。
 
Nano prober、zyvex、奈米探针
中国免费咨询电话 800-988-0501
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