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离子研磨(CP)
 

原理:
离子束剖面研磨(Cross section polisher, CP)是利用离子束去切削出样品之剖面,不同于一般样品剖面研磨,离子束的切削可以避免在研磨过程中的应力影响。尤其对于待观测样品同时存在硬度差异较大的材质时,CP可解决软性材料在研磨过程中应力所造成的延展。另外,经CP处理出来的样品剖面因为不受应力的影响,可针对样品表面之材料特性进行更精确的分析,例如: EDS, WDS, Auger及EBSD。CP其有效的样品处理范围约可达500μm。

应用:

CP样品制备:
   对软性材料,例如铜、铝、金、锡、高分子材料(须特别注意熔融温度)。
   对硬性材质,例如陶瓷、玻璃等。
   由金属材料、陶瓷材料或高分子材料等两种或两种以上的材料经过复合而制备的多相材料。

机台规格/ 极限:
型号:SM-09010

Ion accelerating voltage
2 to 8 kV
Ion beam diameter
500um(FWHM)
Milling speed
100 um/h
(the average value over 2 hours, at accelerating voltage: 6 kV, specimen: Si, 100 um from edge)
Max. Specimen size
11mm(W) x 10mm(D) x 2mm(T)
Cutting angle
90°
Gas supply for Ion gun
Ar

 

离子束剖面研磨(CP)-实例照片
 
铜制程样品
 
Gold finger样品
 
离子束剖面研磨(CP)-实例照片
Package样品
 
WLCSP样品
 
CP、离子束剖面研磨、离子束截面研磨
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