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高温/高电场诱发闸极漏电实验(Gate Leakage)
 

在IC故障分析经验中偶尔会出现使用任何分析工具都无法找出失效原因,Delco工程师在实验室中找到了答案。Delco工程师发现,当集成电路在高温及高电场环境下,Molding compound与Die之间将会产生寄生电容并形成电荷的累积,此电荷会诱发逻辑闸出现漏电现象而造成IC功能异常,这些异常现象又会因IC从PC板解焊、高温烘烤以及Decap后而消失。

在实务中,无铅制程温度即比锡铅制程温度高30°C~40°C,此为高温环境。而为了满足无铅高温组装需要,SMT机台厂商亦以增加机台热区(Heating Zone)以及加大电热能(Heat energy)来因应,使得电场环境较以往严苛, 因此高温加上高电场而诱发了集成电路闸极漏电现象逐渐增加。

近几年随着IC制程演进,复杂度不断上升,加上大多数IC设计公司为了扩大应用领域及降低成本不断进行Die Shrink,此举亦使得闸极漏电现象发生机率增加。部分研究显示闸极漏电现象发生在高压组件上较多;车用电子在高压/高温环境下闸极漏电现象之比例更高,因此国际汽车电子协会将此实验纳入IC可靠度必测项目之一。

宜特科技除已具备多年IC可靠度经验外,亦于今年自行开发完成电场/高温诱发闸极漏电实验能力建置,同时也已提供国内/外客户试验需求,欢迎旧雨新知委托试验与经验交流。
 

实验架设及程序

AEC-Q006 Electro-Thermally Induced Parasitic Gate Leakage Test (GL)


失效原理

Cross-section of a dual metal circuit and the equivalent GL circuit

The characteristic curves of an input pin exposed to and degraded by GL
 
 
 

ISTFA '93: The 19th International Symposium for Testing & Failure Analysis, Los Angeles, California, USA / 15-19 November 1993


实例照片
 
 
 

高温/高电场诱发闸极漏电实验(Gate Leakage Test)、集成电路闸极漏电、
中国免费咨询电话 800-988-0501
marketing_cn@istgroup.com
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