Plasma FIB（P FIB）の原理はDual Beam FIB（DB FIB）とよく似ていますが、下記のような違いがあります。
| イオン源 | Xe+（キセノンイオン）Plasma | Ga+ （ガリウムイオン） |
|---|---|---|
| プローブ電流 (Probe current) | 1.5 pA~2.5 μA | 1.1 pA~65 nA |
- DB FIBのイオン源Ga+はサンプル表面に付着しやすいため、P FIBではXeを使用してサンプルのGa汚染を軽減することができます。
- P FIBは、DBFIBの20倍以上の速度で広い領域を実行できます。
iSTのサービス
iSTは、エッチング速度が20倍に向上した新しいタイプのFEIヘリオスプラズマFIB（PFIB）を業界で構築しました。
高解像度のSEMを搭載しているため、数百ミクロンの範囲にて、ナノスケールの特徴や異常を広範囲に正確に特定できます。小範囲で局所的なCross section分析を行う場合には、Dual-Beam FIBを使用して切断しながら撮影することで迅速に構造画像を得ることができます。しかし広範囲の構造の観察（断面>100umまたは 深度>50um以上）ではPFIBを推薦します。エッチング速度が速いだけでなく、従来の研磨方式使用の際の研磨応力により生じる構造破損と定位正確性の問題を避けることができるからです。
事例紹介
はんだボールの完全な影像
局部の観察も可能です
PFIBはエッチング効果に優れ、範囲も大きいため、迅速かつ完全に複数のTSV構造を得ることができます。
PFIBはプラズマエッチング（Plasma etching）により、完全に大面積の層除去を行います。
- 広範囲の構造観察（>100μm以上）： 3D IC、シリコン貫通構造（TSV ）、はんだボール（Solder ball）、銅ピラー（Cu pillar）、パッケージ製品（WLCSP FA）など。
- Delayerの応用 （28nm先進プロセス以下）。
Thermo Fisher Scientific Helios 5 PFIB
- E-Beam解像度：0.7nm @ 1 kV
- I-Beam解像度：<20nm @ 30 kV
- I-Beam最大電流：2.5 μA