身为IC设计工程师的你，应该常遇到类似的问题。IC出现漏电、短路等异常电性问题，以为是自己的电路设计有问题，因此，来宜特进行IC开盖(De-cap)，準備做InGaAs、EMMI、OBIRCH等电性量测前，却发现，IC开盖后，所有的电性异常问题都消失了，IC恢复正常了。此时心情一则以喜、一则以忧，确定至少不是自己的设计有问题，但会是哪儿有问题呢?

这时候，问题就指向了「封装体」。我们怀疑，有可能是封装制程本身的缺陷。

一般而言，要找IC缺陷，通常需要用「破坏封装体的方式」，包括IC开盖、去黑胶等方式先进行样品前制作业，但如果有可能是「封装体」的问题，就不能使用破坏性的检测方式。

本月小学堂，将带来如何以不破坏样品本身的方式，来找IC的Defect。