从电性量测中发现芯片失效亮点，逐层观察到底层仍抓不到异常？碍于SEM没有定量电性量测电流的功能，即使在SEM影像中侦测到异常电压对比(VC)时，也无法得知异常点是发生在P接面还是N接面？

GaN芯片异常，怎么办？宽能隙半导体大跃进，就看这篇！GaN氮化镓芯片往往容易因为场板和常见的RDL的特殊结构，使亮点容易被遮蔽，导致难以发现位于场板或门极下方的缺陷。为了提高故障分析的成功率，宜特独家基板移除技术，透过背向分析提升你的故障分析成功率。

CIS产品能够从早期数十万像素，一路朝亿级像素迈进，端有赖于摩尔定律在半导体微缩工艺地演进，使得信号处理能力显着提升。然而同时，却也使得这类CIS产品在研发或量产阶段若遇到Defect现象时，失效分析困难度提升…

先进制程中的故障分析，对于研发与产能来说更是至关重大，但组件尺寸越做越小，如何在仅有数奈米的微小尺度下，进行晶体管的特性量测以及缺陷处定位则成为了一大难题。当奈米级先进制程的组件发生故障，要找出微小尺度下的缺陷，该透过何种 奈米电性量测精准定位？

芯片结构内部有问题，想要进行切片观察，方式好几种，该如何针对样品属性，选择正确分析手法呢？有传统Grinding；透过机械手法Polish至所需观察的Layer位置；透过Ion Beam进行切削；每一种分析手法有那些优势呢? 该如何选择呢…

当不肖芯片通路商拿假IC鱼目混珠充当真品贩卖，劣质芯片使得产品良率亮红灯，进而冲击公司信誉与形象，采购方该如何是好?宜特归纳出鉴别真假芯片可留意的内容，包括组件编号、日期、制造商、焊接脚等外观/封装型式…