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by admin
SiP系统级构装出现失效 凶手会是谁
2022-04-11

当IC失效时,想分析其中一颗组件或Die的异常状况,又碍于SiP、MCM内部打线太过复杂,将导致进行电性测试时,容易受到其他芯片或组件影响,造成判定困难。如何避开其他组件的干扰,正确判定测试结果…

IC发生EOS,烧毁区如何找?
2018-06-14

当组件遇上了超过所能负荷的电压或电流时,组件很容易就烧毁造成过度电性应力的问题,出货在即,组装厂要IC设计快点给出解决方案。身为IC设计者,如何速找烧毁区,进行电路设计修改?奉上经典案例,三步骤,让您组件EOS异常点无所遁形…

如何厘清是否为封装缺陷造成IC异常
2018-03-27

IC出现漏电、短路等异常电性问题,来宜特进行IC开盖(De-cap),准备做InGaAs、EMMI、OBIRCH等电性量测前,却发现IC开盖后,所有的电性异常问题都消失了….

什么时机点,适合用3D X-ray找Defect
2017-09-28

宜特继去年引进360度拍摄零死角影像环绕的ZEISS Xradia 520 Versa高分辨率3D X-ray,至今一年多的时间,已替客户解决1023项案件….

可靠性测试后,组件高电阻值异常,失效点如何找
2017-08-17

计算机仿真组件上板应力匹配正常,可靠度实测却过不了,是组件与板材匹配问题?还是封装锡球的耐受度不够?一个以晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的组件,进行上板可靠度….

3D 组件失效,用这三步骤,defect 立马现形
2017-03-29

为因应电子产品对效能需求,因此有了3D芯片堆栈技术产生。但问题来了,这样的技术所产生的组件,在失效后分析也更加困难,传统的封装组件只需在XY面的2D平面定位,即能有效找出失效位置,但3D组件还需要考虑到Z轴位置,且芯片在上下堆栈重迭下,更不容易找到失效位置…

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