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雙束聚焦離子束(Dual-beam FIB)
 
 
 
 
 
 
 



傳統式剖面研磨(Cross-section)
 

樣品剖面研磨屬於破壞性實驗,利用砂紙(或鑽石砂紙)作研磨,加上後續拋光,可處理出清晰的樣品剖面,是種快速的樣品製備方法,搭配後續的檢測設備(光學顯微鏡或掃描式電子顯微鏡)可以觀察樣品之剖面結構。除了一般IC結構觀察外,像是PCB、PCBA或LED等各式樣品皆可藉由此方法,進行樣品剖面觀察。

樣品剖面研磨之基本流程:
   切割:利用切割機裁將樣品裁切成適當尺寸
   冷埋:利用混合膠填滿樣品隙縫,增強樣品之結構強度,避免受研磨應力而造樣品毀損
   研磨:樣品以不同粗細之砂紙(或鑽石砂紙),進行研磨
   拋光:於絨布轉盤上加入適當的拋光液,進行拋光以消除研磨所殘留的細微刮痕

此實驗適用產品:
   IC之產品,如覆晶封裝( Flip Chip)、鋁/銅製程結構、C-MOS Image Sensor
   PCB/PCBA等各種板材或成品
   LED成品

樣品剖面研磨-實例照片
 
Die Cross-Section
 
C-MOS Image Sensor
 
樣品剖面研磨-實例照片
 
銅製程Cross-section
 
Bump Cross-section
 
橫切面、斷面、剖面
林先生/Max
+886-3-5799909#6632
web_pfa@istgroup.com
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