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FIB介紹與應用
 
 
 
 
 
 
 
 



晶背FIB電路修改(Backside FIB )
 

FIB在晶片開發過程中,FIB 已是廣為使用的電路修改工具;目前的施作方式主要由晶片正面進行,但隨著製程與封裝技術演進面臨到兩大挑戰:

覆晶封裝:因封裝基材的限制無法從晶片正面施工,FIB電路修改須從晶背(Silicon)來進行。
金屬層數增加:隨著製程演進,IC 所用的金屬繞線層數增加,用傳統方式由晶片正面對底層的金屬繞線作修改難度越來越高。

宜特已於數年前開始建立晶背 FIB 施工的相關技術,有實際經驗可提供客戶相關服務。若須進一步資訊,請聯絡我們。


實例照片 
 

   Exposure Well

 

   FIB Probing Pad

 
晶背、晶背聚焦離子數、晶背線路修改
王先生/Chino
+886-3-5799909#6000
web_fib@istgroup.com
若您有此服務需求,可就近聯繫以下服務據點:
台灣 ─ 新竹 台北 中國 ─ 上海 昆山 北京 深圳 日本 美國
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