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FIB介紹與應用
 
 
 
 
 
 
 
 



IC電路修改
 

聚焦式離子束顯微鏡(FIB)的利用液相鎵金屬的離子源,照射於樣品表面以取得影像或去除物質。此種功能與FESEM (場放射性掃描電子顯微鏡)相似,但FIB利用鎵離子撞擊樣品表面。搭配有機氣體有效的選擇性蝕刻與沉積導體或非導體。其主要應用於IC線路修正(circuit edit)、局部橫切面 (cross-section), 晶粒相差特性分析等。

電路修補 (Circuit Edit)
利用聚焦離子束顯微鏡(FIB)來做積體電路(IC)電路修正是具有最大經濟效益的應用。在不需重開光罩的前提下,FIB可節省IC設計原型(prototype) 驗證的時間,增快上市時間(Time-to-market),對於IC設計者有十分大的助益。FIB可在微米甚至奈米尺度上做選擇性蝕刻與沉積導體或非導體,提供IC設計者直接修改線路的機會,以達成佈局驗證的目的,節省開發時間與修改經費。

設備
宜特科技在高階FIB的設備規格與產能上始終保持領先。擁有目前業界最高階的FEI V400ACE機台,可精準執行20奈米製程之front-side與back-side FIB線路修補案件。另還建置兩台FEI 986-IET升級版機台,除可精準執行28奈米案件外,還可直接在8吋晶圓上做on-chip的FIB應用。
 
宜特全球共計有超過23台FIB機台,相較同業在良率及產能上都佔有優勢。且實驗室全年無休,提供每日24小時,每週7日的不間斷服務,以確保客戶案件能在24小時內準時回貨。

 FIB機台綜合規格如下
   可達4.5nm解析度,最小可執行20nm metal-1之線路修補。
   最大可放置8吋晶圓。
   支援 Knights Merlin CAD Navigation 軟體。
   高準確度雷射導引stage。
   內建紅外線顯微鏡可觀察CMP層及絕緣矽層 。
   金屬連線材質有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇。

  提昇電路修復良率的建議
   在去封膠、打線或封裝後建議先回測再進行FIB。
   同一顆IC上執行越多的修改內容 ,fail風險會越高。
   FIB連線的阻值較原IC連線要高,若有低電阻連線需求請於委案時先註明。
   建議提供GDSII電路圖檔以利定位(局部區域或層數即可) ,將有助提升良率。

設備
FEI 200
FEI 800
G5
設備
 
FEI 986-IET
 
  V600 
 
  V400ACE 
聚焦離子束、線路修改、改光罩

王先生/Chino
+886-3-5799909#6000
web_fib@istgroup.com
若您有此服務需求,可就近聯繫以下服務據點:
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